電力電容器介質(zhì)損耗因素測(cè)試

電容器介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)試目的

電容器介質(zhì)損耗因數(shù)和電容器絕緣介質(zhì)的種類、厚度、浸漬劑的特性以及制造工藝有關(guān)。電容器tanδ的測(cè)量能靈敏地反映電容器絕緣介質(zhì)受潮、擊穿等絕緣缺陷，對(duì)制造過程中真空處理和剩余壓力、引線端子焊接不良、有毛刺、鋁箔或膜紙不平整等工藝的問題也有較靈敏的反應(yīng)，所以說電容器介質(zhì)損耗因數(shù)是電容器絕緣優(yōu)劣的重要指標(biāo)。

耦合電容器測(cè)試介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)試

測(cè)試接線

一般采用正接線，分析比較時(shí)采用反接線測(cè)量。正接線測(cè)試接線如圖5-4(a)所示，反接線測(cè)試接線如圖5-4(b)所示。采用正接線測(cè)量時(shí)，耦合電容器高壓電極接測(cè)試電壓，法蘭接地，耦合電容器低壓電極小套管接電橋Cx端，若被試品沒有小套管， C,端與法蘭連接并墊絕緣物測(cè)量。采用反接線時(shí)，耦合電容器高壓電極接電橋C,端法蘭和小套管接地。

測(cè)試步驟

采用正接線測(cè)量時(shí)，先將被試電容器對(duì)地放電并接地，拆除被試電容器對(duì)外所有一次連接線，電容器法蘭接地，打開小套管接地線并與電橋C,端相連接，高壓引線接至電容器高壓電極，取下接地線，檢查接線無誤后，通知其他人員遠(yuǎn)離被試品并監(jiān)護(hù)。合上試驗(yàn)電源，從零開始升壓至測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試電壓為10kV。測(cè)試完畢后先將電壓降到零，然后讀取測(cè)量數(shù)據(jù)，切斷電源，對(duì)被試品進(jìn)行放電并接地，拆除測(cè)試引線。特別注意小套管接地引線的恢復(fù)。

采用反接線測(cè)量時(shí)，電橋Cx端接電容器高壓電極，低壓電極接地。測(cè)量下節(jié)耦合電容器時(shí)下法蘭和小套管接地，采用反接線測(cè)量時(shí)，橋體接地應(yīng)直接與被試品接地點(diǎn)直接連接，測(cè)試電壓為10kV。

斷路器電容器介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)試

測(cè)試接線

通常采用正接線，如圖5-5 所示，測(cè)量時(shí)被試電容器一端接測(cè)試電壓，另一端接電橋Cx端。如斷口電容器在安裝前測(cè)試，應(yīng)注意測(cè)量端要墊絕緣物。

測(cè)試步驟

1、交接時(shí)斷口電容器的tanδ 應(yīng)在安裝前測(cè)試，主要是避免斷路器滅弧室的影響。測(cè)試前先將被試電容器對(duì)地放電并接地，高壓引線接至斷路器電容器一端電極，電容器另一端接電橋Cx端。取下接地線，檢查接線無誤后，通知其他人員遠(yuǎn)離被試電容器。合上試驗(yàn)電源，從零開始升壓至測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試電壓為10kV。測(cè)試完畢后將電壓降到零后讀取測(cè)量數(shù)據(jù)，然后切斷電源，對(duì)被試品進(jìn)行放電并接地

2、預(yù)防性試驗(yàn)時(shí)，如果測(cè)試數(shù)據(jù)偏大，可將電容器拆下進(jìn)行測(cè)試。

電容器介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試注意事項(xiàng)

測(cè)試電容器介質(zhì)損耗因數(shù)的注意事項(xiàng)有:

1、測(cè)試應(yīng)在良好的天氣下進(jìn)行，電容器本身及環(huán)境溫度不低于+5℃，電容器表面臟污、潮濕時(shí)，應(yīng)采取擦拭和烘干等措施減少表面泄漏電流的影響，必要時(shí)加屏蔽環(huán)屏蔽表面泄漏電流。

2、采用反接線測(cè)量時(shí)，電橋本體用截面較大的裸銅導(dǎo)線可靠接地，接地點(diǎn)應(yīng)直接與被試品接地點(diǎn)直接連接

3、接線緊湊、布置合理，注意電場(chǎng)、磁場(chǎng)干擾。測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)如有電場(chǎng)或磁場(chǎng)干擾應(yīng)采用移相法、倒相法或變頻法等抗干擾法進(jìn)行測(cè)量。

4、高壓引線連接應(yīng)緊密牢靠，否則接觸電阻會(huì)對(duì)膜紙復(fù)合絕緣電容器 tanδ帶來誤差。

5、測(cè)試前必須檢查電容器是否漏油。如漏油，則電容器應(yīng)退出運(yùn)行，不必進(jìn)行測(cè)試。

6、電容器 tanδ測(cè)量通常采用正接線。如果檢查瓷套絕緣狀況，可使用反接線測(cè)試，反接線能反映瓷套裂紋及內(nèi)壁受潮的絕緣缺陷。

例如

一臺(tái)型號(hào)為 OY-110/√3-0.01的耦合電容器,原始tanδ測(cè)試數(shù)據(jù)是0.2%，電容量0.00998μF，測(cè)試環(huán)境溫度 29℃，本次測(cè)試數(shù)據(jù) 0.3%，電容量0.011μF，測(cè)試環(huán)境溫度30℃，tanδ增大，電容量增長明顯，仔細(xì)檢查發(fā)現(xiàn)耦合電容器上法蘭與瓷套結(jié)合處滲油。分析認(rèn)為耦合電容器密封不嚴(yán)進(jìn)水受潮，導(dǎo)致絕緣劣化。因?yàn)榱己玫挠图埥^緣的tan在10~30℃范圍內(nèi)是穩(wěn)定的或變化很小的，只有絕緣劣化， tanδ變化才會(huì)明顯，電容量增大顯著，說明電容器進(jìn)水受潮，因?yàn)樗慕殡娤禂?shù)比電容器油要高。

7、電容器內(nèi)部元件為串聯(lián)、并聯(lián)結(jié)構(gòu)，特別是耦合電容器等電容器串聯(lián)元件較多，，別元件短路、開路或劣化，tanδ反應(yīng)并不是很靈敏，還要結(jié)合電容量的變化綜合判斷。